| 专利名称 | 硫族元素超饱和掺杂硅红外探测器及其制作方法 | 申请号 | CN201410035355.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103762255A | 公开（授权）日 | 2014.04.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 王科范;彭成晓;刘孔;谷城;曲胜春;王占国 | 主分类号 | H01L31/0236(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0236(2006.01)I;H01L31/0288(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/09(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 硫族元素超饱和掺杂硅红外探测器及其制作方法 至硫族元素超饱和掺杂硅红外探测器及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种硫族元素超饱和掺杂硅红外探测器及其制造方法，探测器包括p型掺杂硅单晶衬底，金字塔减反射结构分别形成于p型掺杂硅单晶衬底的上、下表面，硫族元素超饱和掺杂硅晶态薄膜形成于p型掺杂硅单晶衬底的上表面的金字塔减反射结构的表面；硅氧化物介质钝化层形成于硫族元素超饱和掺杂硅晶态薄膜的表面；正面接触栅电极形成在硅氧化物介质钝化层的表面；背面接触电极形成在p型掺杂硅单晶衬底的下表面的金字塔减反射结构的表面。本发明在硫族元素超饱和掺杂硅晶态薄膜的制备过程加入了表面减反射结构，这可以增强它的红外吸收。 |
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