| 专利名称 | 一种TSV填孔方法 | 申请号 | CN201310753329.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103762198A | 公开（授权）日 | 2014.04.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 发明（设计）人 | 于中尧 | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 专利有效期 | 一种TSV填孔方法 至一种TSV填孔方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种TSV填孔方法，包括如下步骤：利用挥发性的有机溶剂将液态的有机材料单体稀释成有机材料单体溶液；将做好硅微孔的芯片进行等离子表面清洗；将等离子表面清洗过的芯片放入有机材料单体溶液中，使有机材料单体溶液浸满硅微孔；将芯片从有机材料单体溶液中取出放入真空设备中，进行抽真空，将硅微孔中的气泡抽掉，同时使有机溶剂从硅微孔中气化挥发出来；将吸附在硅微孔的孔壁上的有机材料单体固化，形成绝缘层；对芯片进行金属化工艺。本发明通过上述步骤在硅微孔内形成从孔口到孔底，厚度逐渐增大的绝缘层，当硅微孔孔口的绝缘层满足电子性能要求，硅微孔孔内的绝缘层一定满足电气性能要求。 |
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