| 专利名称 | 片层界面择优定向的γ-TiAl合金细小全片层组织制备方法 | 申请号 | CN201410038402.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103757571A | 公开（授权）日 | 2014.04.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院金属研究所 | 发明（设计）人 | 刘仁慈;刘冬;崔玉友;杨锐 | 主分类号 | C22F1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C22F1/00(2006.01)I;C22F1/18(2006.01)I | 专利有效期 | 片层界面择优定向的γ-TiAl合金细小全片层组织制备方法 至片层界面择优定向的γ-TiAl合金细小全片层组织制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及属于γ-TiAl基合金金属间化合物领域，尤其是一种片层界面择优定向的γ-TiAl合金细小全片层组织制备方法。该方法基于γ-TiAl合金在热变形与后续热处理过程中的组织织构演变而得到片层界面择优定向的细小全片层组织。技术特点为：a.采用热变形工艺加工γ-TiAl合金；b.γ-TiAl合金变形组织中α2相具有强烈的变形织构；c.对变形组织进行α单相区固溶处理，控制固溶时间以避免α晶粒异常长大而得到细小全片层组织。本发明方法可有效解决γ-TiAl合金全片层组织室温塑性差的问题，得到片层界面择优定向、承载方向综合力学性能优异的γ-TiAl合金细小全片层组织。 |
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