| 专利名称 | 一种硅纳米线阵列表面修饰有机小分子的方法 | 申请号 | CN201410024915.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103755384A | 公开（授权）日 | 2014.04.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 张晓宏;张晓婕;王辉;欧雪梅;李凡 | 主分类号 | C04B41/53(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B41/53(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 一种硅纳米线阵列表面修饰有机小分子的方法 至一种硅纳米线阵列表面修饰有机小分子的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种硅纳米线阵列表面修饰有机小分子的方法，该方法包括如下步骤：1)将硅纳米阵列表面用氟化氢溶液处理，得到处理后的硅纳米线阵列；2)在无水且隔绝氧气的条件下，将步骤1)制得的硅纳米线阵列与格式试剂进行反应，得到表面修饰的硅纳米线阵列。该方法简单安全易行，是一种有效地构建硅纳米线阵列-有机小分子基团的方法且本方法修饰后的硅纳米线阵列在光电催化中有优异的性能。 |
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