| 专利名称 | 一种硅神经电极混合集成器件的制造方法 | 申请号 | CN201410028793.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103750833A | 公开（授权）日 | 2014.04.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 张旭;韩建强;刘鸣;裴为华;陈弘达 | 主分类号 | A61B5/04(2006.01)I | IPC主分类号 | A61B5/04(2006.01)I | 专利有效期 | 一种硅神经电极混合集成器件的制造方法 至一种硅神经电极混合集成器件的制造方法 | 法律状态 | 著录事项变更 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种硅神经电极混合集成器件的制造方法，包括：制作用于神经信号采集的前置放大器芯片和硅神经电极；在前置放大器芯片表面制作掩膜，在前置放大器芯片输入压焊盘中制作金属层；在前置放大器芯片表面和压焊盘中制作绝缘层；对前置放大器芯片和硅神经电极的表面进行抛光；采用硅片键合技术将前置放大器芯片与硅神经电极集成，在前置放大器与硅神经电极间形成耦合电容。本发明有效隔离了电极记录点与神经细胞接触时形成的电极-电解液极化电位与细胞组织的共模扰动，消除了对前置放大器直流工作点的影响，简化了前置放大器的设计与神经信号记录系统。 |
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