| 专利名称 | 一种ESD保护器件及适用于电池管理芯片的ESD电路 | 申请号 | CN201310733250.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103745973A | 公开（授权）日 | 2014.04.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 付佳;赵野;郝炳贤;姜伟;杜晓伟 | 主分类号 | H01L23/60(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L23/60(2006.01)I;H01M10/48(2006.01)I;H01M10/42(2006.01)I | 专利有效期 | 一种ESD保护器件及适用于电池管理芯片的ESD电路 至一种ESD保护器件及适用于电池管理芯片的ESD电路 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及ESD技术领域，公开了一种ESD保护器件及适用于电池管理芯片的ESD电路。其中，ESD保护器件包括：衬底、埋入层、高压N阱区、高压P阱区、低压P阱区及低压NMOS管；埋入层在衬底上；高压P阱区在埋入层上；低压P阱区在高压P阱区上；低压NMOS管在低压P阱区内；高压N阱区在高压P阱区的外部，并与埋入层接触；低压NMOS管的栅极与源极连接，并连接到高压P阱区上作为保护器件的正极；低压NMOS管的漏极与高压N阱区连接，作为保护器件的负极。本发明中的ESD保护器件的两端均可以接高电平，ESD电路中的ESD保护器件一一对应地与电池的两端连接，实现了对电池管理芯片的ESD保护。 |
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