| 专利名称 | 一种监控AlGaN/GaN HEMT凹栅槽刻蚀的方法 | 申请号 | CN201410046236.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103745944A | 公开（授权）日 | 2014.04.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 袁婷婷;魏珂;郑英奎;刘新宇 | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/66(2006.01)I | 专利有效期 | 一种监控AlGaN/GaN HEMT凹栅槽刻蚀的方法 至一种监控AlGaN/GaN HEMT凹栅槽刻蚀的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种监控AlGaN/GaN?HEMT凹栅槽刻蚀的方法，其中AlGaN/GaN?HEMT凹栅槽刻蚀包括Si3N4钝化层刻蚀以及AlGaN/GaN层刻蚀，该监控方法是分别在刻蚀Si3N4钝化层以及AlGaN/GaN层后对一个用于监控凹栅槽刻蚀程度的测试管芯进行I-V测试，观察该测试管芯的电流变化情况，并依据该电流变化情况判断凹栅槽刻蚀状况。利用本发明，有效监控凹栅槽刻蚀程度，并且辅助寻找出较为合适的凹栅槽刻蚀条件，保证了器件直流特性、小信号特性以及功率特性。 |
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