| 专利名称 | 基于双电光相位调制晶体的剩余幅度调制主动控制系统 | 申请号 | CN201410017879.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103730828A | 公开（授权）日 | 2014.04.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院武汉物理与数学研究所 | 发明（设计）人 | 李刘锋;沈辉;陈李生;王春 | 主分类号 | H01S3/115(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S3/115(2006.01)I;H01S3/13(2006.01)I | 专利有效期 | 基于双电光相位调制晶体的剩余幅度调制主动控制系统 至基于双电光相位调制晶体的剩余幅度调制主动控制系统 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障