| 专利名称 | 电压基准源电路 | 申请号 | CN201310698422.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103713684A | 公开（授权）日 | 2014.04.09 | 申请（专利权）人 | 深圳先进技术研究院 | 发明（设计）人 | 陆云;彭荣超;董子刚;张元亭 | 主分类号 | G05F1/613(2006.01)I | IPC主分类号 | G05F1/613(2006.01)I | 专利有效期 | 电压基准源电路 至电压基准源电路 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种基于MOS器件的电压基准源电路，其包括偏置电流产生电路及启动所述偏置电流产生电路的启动电路，所述电压基准源电路还包括二极管连接形式的负载MOS管。所述负载MOS管和所述偏置电流产生电路相连接，所述偏置电流产生电路产生的偏置电流驱动所述负载MOS管。所述电压基准源电路结构简单、易于实现，能够输出一种低温度系数的基准电压，能够确保电路对工艺、温度的鲁棒性以及增强了电路的可实现性，可满足高精度应用的要求。 |
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