| 专利名称 | 铜铟镓硒薄膜的制备方法 | 申请号 | CN201310687514.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103710668A | 公开（授权）日 | 2014.04.09 | 申请（专利权）人 | 深圳先进技术研究院;香港中文大学 | 发明（设计）人 | 熊治雨;肖旭东;杨春雷 | 主分类号 | C23C14/24(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/24(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 铜铟镓硒薄膜的制备方法 至铜铟镓硒薄膜的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种铜铟镓硒薄膜的制备方法。该铜铟镓硒薄膜的制备方法包括步骤一为：在硒气氛中，共蒸镓和铟，使硒、镓和铟沉积于衬底上；步骤二为：提高衬底温度，在硒气氛中，蒸发铜，使硒和铜沉积于衬底上；步骤三为：保持衬底温度，在硒气氛中，共蒸镓和铟，形成铜铟镓硒薄膜。步骤一与步骤三的共蒸时间的比值为5:1～7:1。通过提高热镓和铟的蒸发温度加速薄膜沉积，设置步骤一和步骤三的蒸发量之间的配比关系，使铟更多地进入薄膜内部并增加薄膜表面的镓含量，显著地改善各元素的梯度分布，减少铜铟镓硒薄膜表面缺陷，提高铜铟镓硒薄膜的质量并降低能源消耗。 |
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