| 专利名称 | 一种GaN基半导体器件欧姆接触高压可靠性的评价方法 | 申请号 | CN201410005195.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103713252A | 公开（授权）日 | 2014.04.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 赵妙;刘新宇;魏珂;孔欣;王兵;郑英奎;李艳奎;欧阳思华 | 主分类号 | G01R31/26(2014.01)I | IPC主分类号 | G01R31/26(2014.01)I;G01R31/12(2006.01)I | 专利有效期 | 一种GaN基半导体器件欧姆接触高压可靠性的评价方法 至一种GaN基半导体器件欧姆接触高压可靠性的评价方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种GaN基半导体器件欧姆接触高压可靠性的评价方法，包括：在待检测GaN基半导体器件上形成多组传输线测试图形，每组传输线测试图形包括多个相同的、间隔分布的电极；采用金丝将所述多组传输线测试图形串联；获取单组的传输线测试图形与所述待检测GaN基半导体器件的接触电阻和薄层电阻；为串接后的传输线测试图形提供高压应力，再次获取所述接触电阻和薄层电阻，并获取串接后的多组传输线测试图形的伏安特性曲线；根据施加高压应力前后所述接触电阻和薄层电阻的稳定性以及施加高压应力后所述金丝的电子扫描显像图判定所述待检测GaN基半导体器件的欧姆接触高压可靠性。所述检测方法可用于检测GaN基HEMT欧姆接触高压可靠性。 |
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