| 专利名称 | 一种基于硅基三维纳米阵列的全环栅CMOS结构和制备方法 | 申请号 | CN201310736928.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103715195A | 公开（授权）日 | 2014.04.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 王庶民;李耀耀;龚谦;程新红 | 主分类号 | H01L27/092(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/092(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 一种基于硅基三维纳米阵列的全环栅CMOS结构和制备方法 至一种基于硅基三维纳米阵列的全环栅CMOS结构和制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种全环栅CMOS场效应晶体管和制备方法，其特征在于所述硅衬底或SOI衬底上生长有n型横向三维单片集成的高迁移率纳米线阵列和p型横向三维单片集成的高迁移率纳米线阵列；所述n型横向三维单片集成的高迁移率纳米线阵列和p型横向三维单片集成的高迁移率纳米线阵列间隔排列。包括硅或SOI衬底，利用ALD技术实现纳米线周围栅介质和金属栅极材料全包围，制备横向三维p型和n型单片集成纳米线阵列，得到全环栅CMOS场效应晶体管。本发明能够满足10nm以下技术节点对器件性能提出的高要求，为大规模集成电路中的10nm以下技术节点提供技术积累和技术支撑。 |
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