| 专利名称 | 一种集成一体化的离子囚禁装置 | 申请号 | CN201410018021.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103714878A | 公开（授权）日 | 2014.04.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院武汉物理与数学研究所 | 发明（设计）人 | 崔凯枫;商俊娟;曹健;舒华林;黄学人 | 主分类号 | G21K1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G21K1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种集成一体化的离子囚禁装置 至一种集成一体化的离子囚禁装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种集成一体化的离子囚禁装置，包括原子炉、磁屏蔽系统和设置在磁屏蔽系统内的磁场线圈系统，还包括设置在磁场线圈系统的离子阱，离子阱包括两个陶瓷支架，两个陶瓷支架之间固定有四个射频电极，相对的两个射频电极对称设置，每个射频电极包括固定端和射频端，两个陶瓷支架上均设置帽电极，帽电极一端设置有帽电极弧面端，四个射频端和两个帽电极弧面端围成的空间为离子阱中央区域，所述的原子炉设置在离子阱中央区域的下方。本发明内置成像透镜系统距离离子囚禁区域很近，成像立体角大，可以显著提高信噪比。内置磁场线圈体积小巧，有利于离子囚禁区域磁场的精确控制。磁屏蔽系统结构紧凑，开孔小，屏蔽效果更好。 |
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