一种可调谐衬底发射量子级联激光器阵列器件

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专利名称 一种可调谐衬底发射量子级联激光器阵列器件 申请号 CN201310705313.2 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN103715607A 公开(授权)日 2014.04.09 申请(专利权)人 中国科学院半导体研究所 发明(设计)人 闫方亮;张锦川;姚丹阳;卓宁;王利军;刘峰奇;王占国 主分类号 H01S5/42(2006.01)I IPC主分类号 H01S5/42(2006.01)I;H01S5/187(2006.01)I 专利有效期 一种可调谐衬底发射量子级联激光器阵列器件 至一种可调谐衬底发射量子级联激光器阵列器件 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明公开了一种可调谐衬底发射量子级联激光器阵列器件,包括:衬底;衬底上表面依次生长的下波导层、下限制层、有源区、上限制层、上波导层、盖层以及高掺层;阵列器件,其包含多个DFB激光器单元,每个DFB激光器单元具有脊型波导结构,脊上面的高掺层上具有二级取样布拉格光栅结构,不同布拉格光栅具有不同取样周期;二氧化硅层,覆盖整个脊型波导结构的表面区域;正面电极层,生长在二氧化硅层上面及布拉格光栅上面;电隔离沟,位于阵列器件中两个相邻的DFB激光器的脊型波导结构之间;背面金属电极层,生长在衬底的下表面;出光窗口,位于衬底的下表面,阵列器件中的每个DFB激光器单元的脊型波导均对应一个出光窗口。

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