| 专利名称 | 一种深亚微米U型栅槽的制作方法 | 申请号 | CN201410005105.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103715077A | 公开（授权）日 | 2014.04.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘果果;魏珂;孔欣;刘新宇 | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 专利有效期 | 一种深亚微米U型栅槽的制作方法 至一种深亚微米U型栅槽的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种深亚微米U型栅槽的制作方法，该方法包括：在半导体外延材料表面生长栅介质；在栅介质上匀胶；对电子束光刻胶进行曝光及显影；对电子束光刻胶进行回流烘胶，固化胶截面形成刻蚀窗口；采用ICP刻蚀工艺对栅介质进行刻蚀；以及去胶形成U型栅槽。利用本发明，能够得到栅角圆滑的U型栅槽，有效降低了器件源漏间，尤其是栅漏间的峰值电场，提高了器件的击穿电压，减少了器件漏电，提高了器件效率。 |
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