| 专利名称 | 对游离态铜离子和络合态铜离子具有选择性荧光响应的基于硅纳米线的荧光化学传感器 | 申请号 | CN201410005686.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103712968A | 公开（授权）日 | 2014.04.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 师文生;苗荣;穆丽璇 | 主分类号 | G01N21/64(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N21/64(2006.01)I | 专利有效期 | 对游离态铜离子和络合态铜离子具有选择性荧光响应的基于硅纳米线的荧光化学传感器 至对游离态铜离子和络合态铜离子具有选择性荧光响应的基于硅纳米线的荧光化学传感器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及对游离态铜离子和络合态铜离子具有选择性荧光响应的基于硅纳米线的荧光化学传感器及其制备方法和应用。本发明是将硅纳米线或硅纳米线有序阵列进行表面活化后，再依次与3-2-（2-氨基乙基氨基）乙基氨基丙基三甲氧基硅烷和丹磺酰氯进行反应，实现硅纳米线或硅纳米线有序阵列的表面功能化修饰，从而得到所述的荧光化学传感器。本发明的荧光化学传感器可用于含有游离态铜离子和络合态铜离子的普通溶液体系及生物体系中的游离态铜离子和络合态铜离子的检测，也可以将所述的荧光化学传感器作为细胞生长的基底，构筑载有细胞的活性检测芯片，并利用其实时、原位观察细胞凋亡过程中游离态和络合态铜离子的释放。 |
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