| 专利名称 | 一种光电探测器件转移制作系统及制作方法 | 申请号 | CN201310745792.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103715034A | 公开（授权）日 | 2014.04.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 | 发明（设计）人 | 卢裕;刘虎林;田进寿;赛小锋;韦永林;徐向晏;王俊锋 | 主分类号 | H01J9/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J9/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种光电探测器件转移制作系统及制作方法 至一种光电探测器件转移制作系统及制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种光电探测器件转移制作系统及制作方法，包括阴极腔、阳极腔、工作传递腔、转移传递系统、烘箱及抽真空系统，阴极腔、阳极腔、工作传递腔之间通过阀门隔开，阴极腔和阳极腔分别位于工作传递腔两侧，转移传递系统包括水平传递系统和升降系统，水平传递系统包括阳极组件放置装置、阴极组件放置装置及水平传递装置，利用该制作系统进行光电探测器件制作时，除阳极组件组装过程外，其余工艺过程均在超高真空的清洁环境内完成，防止制作过程对倍增管核心器件造成污染；MCP阳极组件处理与光电阴极制作工艺相互独立，避免非阴极部分受阴极碱金属污染，保证MCP处于最佳性能工作状态。 |
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