| 专利名称 | 单层MoS2纳米片、制备方法以及纳米药物载体 | 申请号 | CN201310741623.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103705928A | 公开（授权）日 | 2014.04.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院高能物理研究所 | 发明（设计）人 | 尹文艳;谷战军;赵宇亮 | 主分类号 | A61K47/04(2006.01)I | IPC主分类号 | A61K47/04(2006.01)I;A61K41/00(2006.01)I;A61K31/704(2006.01)I;A61P35/00(2006.01)I | 专利有效期 | 单层MoS2纳米片、制备方法以及纳米药物载体 至单层MoS2纳米片、制备方法以及纳米药物载体 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种单层MoS2纳米片、制备方法以及纳米药物载体。其中所述制备方法包括：步骤1：取MoS2与浓硫酸，混合，水浴搅拌；之后离心去除浓硫酸，将沉淀离心水洗；步骤2：取步骤1处理后所得的MoS2，加入去离子水，在超声条件下，滴加壳聚糖溶液，得混合溶液，超声；步骤3：将完成步骤2后的混合溶液用超声细胞破碎仪破碎，离心处理后收集未沉淀的溶液，再次离心处理后得沉淀，水洗，即得单层MoS2纳米片。本发明提供的技术方案方法简单易行，绿色环保，价格低廉，制备单层MoS2纳米片具有可控的尺寸、产率高且具有高的载药量，有利于定时、定量光控释放药物，在生物医学领域的肿瘤治疗等方面有潜在应用价值。 |
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