| 专利名称 | 一种石墨烯的常压可控生长方法 | 申请号 | CN201410004425.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103708448A | 公开（授权）日 | 2014.04.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院化学研究所 | 发明（设计）人 | 王栋;李景;万立骏 | 主分类号 | C01B31/04(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B31/04(2006.01)I | 专利有效期 | 一种石墨烯的常压可控生长方法 至一种石墨烯的常压可控生长方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开一种1-3层石墨烯的常压可控生长方法，包括：在常压下，将金属基底置于含有碳源气体的气氛下，石墨烯经过成核阶段、核生长阶段、和完全覆盖阶段，得到完全覆盖于整个金属基底上的一层、两层或三层石墨烯，其中，通过成核温度控制所述金属基底表面石墨烯成核的层数（一层、两层或三层），再通过调节完全覆盖阶段的总气体流速控制所述金属基底表面的石墨烯在原有层数的基础上大面积生长。本发明提供的石墨烯生长方法，在常压环境下即可实现对1-3层石墨烯的精确控制生长，而且层数均一，缺陷少，易于操作和放大生产。该方法所获取的石墨烯适用于构筑电子器件如场效应晶体管、发光二极管、透明电极等。 |
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