| 专利名称 | 一种IGBT的版图 | 申请号 | CN201320121908.9 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN203521422U | 公开（授权）日 | 2014.04.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司 | 发明（设计）人 | 田晓丽;朱阳军;陆江;赵佳;左小珍 | 主分类号 | H01L29/739(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 专利有效期 | 一种IGBT的版图 至一种IGBT的版图 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种IGBT的版图，属于大功率半导体器件技术领域。该版图包括有源区、Gatebus、终端区、栅PAD、源PAD和Gatefinger，有源区由并联的元胞构成，在有源区的外围有一周Gatebus，在Gatebus的外围一周有终端区,有源区内部有栅PAD，栅PAD位于IGBT的芯片中央、多个源PAD由Gatefinger间隔分布。本实用新型不仅保证了芯片各处传导的栅压基本均等，使电流分布均匀，器件参数一致性良好。同时，还大大减弱了电流集中产生的热集中现象，提高了器件可靠性，适用于大电流芯片及更便于封装。 |
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