一种增强压电薄膜传感器性能的图形化修饰方法

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专利名称 一种增强压电薄膜传感器性能的图形化修饰方法 申请号 CN201310713092.3 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN103698396A 公开(授权)日 2014.04.02 申请(专利权)人 中国科学院苏州生物医学工程技术研究所 发明(设计)人 张威;周连群;吴一辉 主分类号 G01N29/036(2006.01)I IPC主分类号 G01N29/036(2006.01)I 专利有效期 一种增强压电薄膜传感器性能的图形化修饰方法 至一种增强压电薄膜传感器性能的图形化修饰方法 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明公开了一种增强压电薄膜传感器性能的图形化修饰方法,使用简单化学沉积方法在声波传播波峰(波谷)进行纳米级厚度自组装图形化修饰,在传感器表面实现同一平面材料上生物分子的图形化排布,提高传感器敏感区单位面积分子的捕获量。同时,在非波峰(波谷)区域进行疏水化修饰,减少样本中其他分子的非特异性吸附,以此促进分子集中图形化排布在传感器振幅最大位置,将质量的增加集中在波峰(波谷)区域,增加单位面积内质量的增加,增强压电薄膜的灵敏度,从而增强压电薄膜传感器的性能,实现对复杂样本中生物分子的定量检测,为建立高灵敏度、多通道、高通量的自动化生物分子定量检测方法提供关键技术。

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