| 专利名称 | 一种边发射半导体激光器腔面的非解理制备方法 | 申请号 | CN201310703155.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103701035A | 公开（授权）日 | 2014.04.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 李耀耀;王庶民;曹春芳;龚谦 | 主分类号 | H01S5/10(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/10(2006.01)I | 专利有效期 | 一种边发射半导体激光器腔面的非解理制备方法 至一种边发射半导体激光器腔面的非解理制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种边发射半导体激光器谐振腔腔面的非解理制备方法。其特征在于：设计并生长激光器的特定材料结构，利用光刻方法制备激光器的谐振腔掩膜图形，根据激光器材料结构选用特定腐蚀液并刻蚀谐振腔，再利用选择性腐蚀液对腐蚀牺牲层进行侧向腐蚀，在激光器腔面处形成悬臂结构，利用超声震断悬臂结构，形成激光器前后腔面。利用本发明的方法制备激光器前后腔面，可以在不需要解理衬底的条件下，形成高质量的激光器腔面。利用本发明可以制备特定条件下的激光器腔面，比如激光器衬底难以解理形成高质量解理面或者由于特定需要激光器衬底不能被解理。 |
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