| 专利名称 | 氮化镓激光器腔面的制作方法 | 申请号 | CN201310637212.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103701037A | 公开（授权）日 | 2014.04.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 田迎冬;董鹏;张韵;闫建昌;孙莉莉;王军喜;李晋闽 | 主分类号 | H01S5/343(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/343(2006.01)I | 专利有效期 | 氮化镓激光器腔面的制作方法 至氮化镓激光器腔面的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种氮化镓激光器腔面的制作方法，包括：在衬底上外延生长氮化镓激光器结构，得到外延片，氮化镓激光器结构从衬底一侧依次包括n型欧姆接触层、n型限制层、n型波导层、量子阱、电子阻挡层、p型波导层、p型限制层、p型欧姆接触层；在外延片的欧姆接触层上涂覆光刻胶；应用光刻版进行标准光刻；在外延层片上蒸镀金属；在外延层上制作金属掩膜；刻蚀到激光器的n型光限制层；采用腐蚀液腐蚀刻蚀得到的腔面的侧壁；去除外延层表面的金属掩膜。本发明通过感应等离子体刻蚀和碱性溶液腐蚀的方法得到表面平整光滑的腔面，从而了消除干法腐蚀工艺后离子轰击作用对腔面造成的损伤，修复了等离子体对腔面造成的损伤，提高腔面的发射率。 |
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