| 专利名称 | 一种锗硅纳米线叠层结构的制作方法 | 申请号 | CN201310740895.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103700578A | 公开（授权）日 | 2014.04.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王盛凯;刘洪刚;孙兵;常虎东;赵威 | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 专利有效期 | 一种锗硅纳米线叠层结构的制作方法 至一种锗硅纳米线叠层结构的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种锗硅纳米线叠层结构的制作方法，该方法包括：在单晶衬底表面交替外延锗硅薄膜与锗薄膜，并对锗硅薄膜与锗薄膜的表面进行光刻和刻蚀，获得锗硅/锗的线条结构；在纯氧或含有氧气的混和气体的气氛下对获得的锗硅/锗的线条结构进行氧化，利用锗与锗硅氧化速率的不同将锗优先氧化为二氧化锗，同时保持锗硅不被氧化；以及利用化学腐蚀的方法除去二氧化锗，获得锗硅纳米线叠层结构。本发明提供的锗硅纳米线结构的制作方法，具有可大面积生长、工艺简便、纳米线直径可控以及制备成本低等优点。 |
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