| 专利名称 | 消除多道激光熔覆搭接孔洞的方法 | 申请号 | CN201310741495.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103695901A | 公开（授权）日 | 2014.04.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 林学春;赵树森;周春阳;高文焱;王奕博;刘发兰 | 主分类号 | C23C24/10(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C24/10(2006.01)I | 专利有效期 | 消除多道激光熔覆搭接孔洞的方法 至消除多道激光熔覆搭接孔洞的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种消除多道激光熔覆搭接孔洞的方法。该方法通过激光功率密度与单道熔覆层宽高比关系，确定最优单道熔覆层宽高比；根据工艺参数与单道熔覆层宽高比关系式，可以计算确定所采用的工艺参数，以及搭接间距，以消除多道激光熔覆的搭接孔洞。本发明消除多道激光熔覆搭接孔洞方法不仅可以消除熔覆层中的搭接孔洞，还可以降低熔覆层开裂敏感性，提高熔覆层寿命。 |
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