| 专利名称 | 远程磁镜场约束线形等离子体增强化学气相沉积系统 | 申请号 | CN201310688648.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103695868A | 公开（授权）日 | 2014.04.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院等离子体物理研究所 | 发明（设计）人 | 陈龙威;左潇;魏钰;孟月东;王祥科 | 主分类号 | C23C16/513(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/513(2006.01)I;C23C16/54(2006.01)I | 专利有效期 | 远程磁镜场约束线形等离子体增强化学气相沉积系统 至远程磁镜场约束线形等离子体增强化学气相沉积系统 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种远程磁镜约束线形等离子体增强化学气相沉积系统，包括有沉积腔，沉积腔分为等离子体发生区、材料表面处理区，沉积腔的顶端和两侧分别设有一块永磁铁，沉积腔的等离子体发生区设有与气源连接的上、下进气管以及与同轴微波源相连接的同轴圆波导，沉积腔的材料表面处理区中设有基片台，沉积腔的底部设有真空机组；在永磁铁组件产生的线形磁镜场约束条件下，使用同轴圆波导在沉积腔中激发工作气体产生线形微波等离子体，所通入工作气体在线形微波等离子体作用下在基片台上的基片表面形成薄膜。本发明能实现半导体薄膜、掺杂半导体薄膜的大尺寸均匀沉积，通过远程通入反应气体实现薄膜的快速、连续沉积，易于实现工业化连续生产。 |
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