| 专利名称 | 一种锗纳米线结构的制作方法 | 申请号 | CN201310741573.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103693615A | 公开（授权）日 | 2014.04.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王盛凯;刘洪刚;孙兵;常虎东;赵威 | 主分类号 | B82B3/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B82B3/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)N | 专利有效期 | 一种锗纳米线结构的制作方法 至一种锗纳米线结构的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种锗纳米线结构的制作方法，该方法包括：将锗衬底或沉积有锗薄膜的衬底洗净，对其表面进行光刻和刻蚀，获得锗线条结构；在锗线条结构表面沉积覆盖氧化物或者氮化物侧墙材料；利用各向异性刻蚀方法，去除掉锗线条间覆盖的侧墙材料，得到三面包覆侧墙材料的锗线条；以及将该三面包覆侧墙材料的锗线条置于纯氧气或含有氧气的混合气体中，通过调节气体流量比进而控制氧气分压以及反应温度，得到锗纳米线结构。本发明提供的锗纳米线结构的制作方法，具有可大面积生长、工艺简便、纳米线直径可控以及制备成本低等优点。 |
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