| 专利名称 | 发光二极管、发光二极管发光效率和强度的调制方法 | 申请号 | CN201210356845.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103681979A | 公开（授权）日 | 2014.03.26 | 申请（专利权）人 | 国家纳米科学中心 | 发明（设计）人 | 王中林;杨青 | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01L33/02(2010.01)I | 专利有效期 | 发光二极管、发光二极管发光效率和强度的调制方法 至发光二极管、发光二极管发光效率和强度的调制方法 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移 | 说明书摘要 | 本发明提供一种发光二极管发光效率和强度的调制方法，通过在N型区和/或P型区的材料具有压电性的发光二极管上施加应力使发光二极管发生形变,形变引起的压电场对发光二极管的发光效率和强度进行调制。相应的，本发明还提供一种发光二极管。本发明通过在PN结发光二极管中引入合适的应力，对发光二极管能带进行调制，增加二极管中用于电光转换的电流，同时在PN结附近引入能带弯曲。弯曲形成的电子和空穴势阱可以将载流子吸引并束缚到PN结附近，局域的电子和空穴浓度的增加和束缚会使电子和空穴复合效率增加，从而增加发光二极管的内量子效率。 |
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