| 专利名称 | 一种磁控电弧离子镀复合沉积装置 | 申请号 | CN201320661704.4 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN203498466U | 公开（授权）日 | 2014.03.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院金属研究所 | 发明（设计）人 | 赵彦辉;肖金泉;于宝海;华伟刚;宫骏;孙超 | 主分类号 | C23C14/46(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/46(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I | 专利有效期 | 一种磁控电弧离子镀复合沉积装置 至一种磁控电弧离子镀复合沉积装置 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型属于材料表面改性领域，具体为一种磁控电弧离子镀复合沉积装置，用于控制阴极弧斑运动速度，约束等离子体的传输，提高薄膜的沉积速率和沉积均匀性，减少靶材表面大颗粒的喷射，提高靶材刻蚀均匀性。电弧离子镀装置设置有两套磁场发生装置，一套置于靶材后面，另一套置于等离子体传输通道外侧，通过两套磁场发生装置产生的耦合磁场辅助对基体表面进行薄膜沉积。本实用新型通过两套耦合的磁场发生装置产生的耦合磁场，可以减少靶材表面大颗粒的发射和薄膜中大颗粒的数量，解决了传统工艺等离子体在传输空间上的不均匀性，提高了等离子体的利用率，增加了薄膜的沉积速率与薄膜厚度均匀性，为制备各种高性能的薄膜提供有效保障。 |
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