| 专利名称 | 一种沟槽型的绝缘栅双极性晶体管及其制备方法 | 申请号 | CN201210345357.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103681819A | 公开（授权）日 | 2014.03.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 张文亮;朱阳军;卢烁今;赵佳;田晓丽;吴振兴 | 主分类号 | H01L29/739(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I | 专利有效期 | 一种沟槽型的绝缘栅双极性晶体管及其制备方法 至一种沟槽型的绝缘栅双极性晶体管及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种沟槽型的绝缘栅双极性晶体管及其制备方法，属于半导体技术领域。该绝缘栅双极性晶体管包括集电极、发射极、P-基区、N+缓冲侧、N-漂移区和栅极，栅极在沟槽内，栅极与N-漂移区、P-基区和发射极通过绝缘层电学隔离；其中，栅极由多晶硅组成，在沟槽内多晶硅栅上镶嵌一个以上不连续的绝缘体。本发明利用梳状栅结构减小了沟槽密度，从而提高抗短路能力。同时保持较高的栅密度，从而保证器件击穿电压下较小；同时，减小了器件的寄生电容，使器件有较高的开关速度。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障