| 专利名称 | 半导体器件及其制造方法 | 申请号 | CN201210333081.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103681840A | 公开（授权）日 | 2014.03.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;梁擎擎;钟汇才;尹海洲;骆志炯;叶甜春 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件及其制造方法 至半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。根据一示例，半导体器件可以包括：半导体层；半导体基体，位于半导体层上，所述半导体基体包括延伸穿过该半导体基体的空腔；源极和漏极，在半导体层上形成，且分别接于半导体基体的相对的第一侧面和第二侧面；栅极，分别接于半导体基体的相对的第三侧面和第四侧面。 |
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