| 专利名称 | 高电子迁移率晶体管及其制造方法 | 申请号 | CN201210343035.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103681831A | 公开（授权）日 | 2014.03.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 包琦龙;邓坚;罗军;赵超 | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 专利有效期 | 高电子迁移率晶体管及其制造方法 至高电子迁移率晶体管及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种高电子迁移率晶体管及其制造方法。该高电子迁移率晶体管的制造方法包括：在衬底上形成半导体层；在半导体层中形成凹槽；在凹槽底部形成介质层；在半导体层的表面上形成源极和漏极；以及在介质层上形成栅极。通过以上方法可以降低沟道中二维电子气的浓度，提高高电子迁移率晶体管正向阈值电压，并增强器件对噪声的抗干扰能力。 |
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