| 专利名称 | 一种高压超结IGBT的制作方法 | 申请号 | CN201210345024.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103681321A | 公开（授权）日 | 2014.03.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王波;朱阳军;卢烁今;胡爱斌 | 主分类号 | H01L21/331(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/331(2006.01)I | 专利有效期 | 一种高压超结IGBT的制作方法 至一种高压超结IGBT的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种高压超结IGBT的制作方法，包括如下步骤：分别在N型，P型衬底上刻蚀出沟槽；分别外延P型，N型单晶硅填充沟槽，并在填充完毕后，做正面的平坦化和减薄；将硅片正面抛光，然后用酸液处理；将处理过的两硅片精确对准后进行键合；将键合后的硅片背面减薄去除N层，露出N，P间隔排布的形貌；重复第三步，第四步，进行第二次键合；制作器件的正面，采用淀积P型应变SiGe层制作背面集电极层；采用金属Al/Ti/Ni/Ag制作背面金属层。本发明提供的一种高压超结IGBT的制作方法，具有较大高宽比，适合高压器件，也可以用于功率二极管，VDMOS以及其他功率器件。 |
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