| 专利名称 | 一种制造场效应晶体管的方法 | 申请号 | CN201210331130.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103681328A | 公开（授权）日 | 2014.03.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 钟汇才;梁擎擎 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | 一种制造场效应晶体管的方法 至一种制造场效应晶体管的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种制造场效应晶体管的方法，该方法包括提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成单晶层；刻蚀所述单晶层以形成至少一个单晶堆叠；形成环绕所述至少一个单晶堆叠的栅极侧墙；在栅极侧墙两侧的衬底中形成源漏区；沉积层间介质层并平坦化直到露出所述单晶堆叠的表面；刻蚀去除所述至少一个单晶堆叠，并在得到的至少一个栅极沟槽中依次形成栅极绝缘层以及栅极导体层，从而形成栅极堆叠。本发明通过使用单晶来代替非晶电介质作为牺牲栅极堆叠的材料，可以消除在诸如Si3N4的硬掩模材料和诸如多晶硅或金属的栅极材料中的颗粒的大小在光刻和刻蚀时对栅极导体层线边缘粗糙度的影响，故可减轻或消除器件的几何特性与电学特性的波动。 |
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