| 专利名称 | 一种半导体结构的制造方法 | 申请号 | CN201210362926.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103681343A | 公开（授权）日 | 2014.03.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;朱慧珑 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体结构的制造方法 至一种半导体结构的制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种半导体结构的制造方法，该方法包括以下步骤：a）提供SOI衬底，在所述SOI衬底上形成浅沟槽，所述浅沟槽限定的区域对应有源区；b）在浅沟槽靠近所述有源区的侧壁上形成重掺杂层；c）填充浅沟槽形成浅沟槽隔离结构；d）在所述有源区内形成半导体器件。本发明通过在SOI的源极和体区形成pn结，为体区积累的电荷提供泄放通道，减小浮体效应的影响，提高器件的可靠性。 |
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