| 专利名称 | 一种在发光二极管表面制备纳米尺度球形体结构的方法 | 申请号 | CN201210335090.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103682013A | 公开（授权）日 | 2014.03.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 杨海方;刘哲;顾长志;夏晓翔;尹红星 | 主分类号 | H01L33/20(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/20(2010.01)I | 专利有效期 | 一种在发光二极管表面制备纳米尺度球形体结构的方法 至一种在发光二极管表面制备纳米尺度球形体结构的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明是一种在发光二极管表面制备纳米尺度球形体结构的方法，在发光二极管样品表面上旋涂光刻胶，利用纳米尺度图形在光刻胶上制备圆形体结构光刻胶阵列图形，得到含有圆形体结构光刻胶阵列样品；利用蒸发工艺，在含有圆形体结构光刻胶阵列的样品上生长一层金属膜并溶脱，得到含有金属圆形体结构阵列的样品；利用离子束刻蚀对含有圆形体结构光刻胶阵列样品和含有金属圆形体结构阵列的样品进行刻蚀，得到含有球形体阵列结构的样品；将含有球形体阵列结构的样品置于去胶液或金属腐蚀液中清洗，去除球形体阵列结构表面的光刻胶或金属掩膜，得到纳米尺度的球形体结构，具有较大表面积的倾斜侧面，减少全内反射，增加发光二极管的光提取效率。 |
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