| 专利名称 | 一种半导体结构的制造方法 | 申请号 | CN201210362169.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103681509A | 公开（授权）日 | 2014.03.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;朱慧珑 | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体结构的制造方法 至一种半导体结构的制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种半导体结构的制造方法，该方法包括以下步骤：a）提供SOI衬底，在所述SOI衬底上形成栅极堆叠；b）对源区和漏区进行非晶化注入，其中源区非晶化注入中的工艺温度高于漏区非晶化注入中的工艺温度；c）进行源/漏区掺杂；d）退火，激活杂质，并使源/漏区的非晶化区域重结晶。步骤b）的源区非晶化注入中，工艺温度高于50℃，并且漏区非晶化注入中，工艺温度低于-30℃。本发明通过在源区下方产生缺陷，为体区积累的电荷提供泄放通道，减小浮体效应的影响，提高器件的可靠性。 |
1、源头对接，价格透明
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