| 专利名称 | 半导体器件结构及其制作方法 | 申请号 | CN201210333470.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103681461A | 公开（授权）日 | 2014.03.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 钟汇才;梁擎擎;罗军;朱慧珑 | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件结构及其制作方法 至半导体器件结构及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种半导体器件结构及其制作方法。根据一示例，该方法包括：在衬底上设置有源区；在衬底上形成至少一条连续的栅极线，所述栅极线经由栅介质层与有源区相交；绕所述栅极线形成电介质侧墙；在所述栅极线的两侧，在有源区中形成源/漏区；形成与源/漏区电接触的接触部；在第一预定区域处，在接触部中形成沟槽，所述沟槽并未切断接触部；以及在第二预定区域处，实现器件间电隔离，被隔离的栅极线部分形成相应单元器件的栅极。 |
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