| 专利名称 | 一种半导体结构及其制作方法 | 申请号 | CN201210348374.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103681802A | 公开（授权）日 | 2014.03.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 韩锴;王晓磊;王文武;杨红;马雪丽 | 主分类号 | H01L29/423(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/423(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体结构及其制作方法 至一种半导体结构及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明实施例提供一种半导体结构及其制作方法，所述半导体结构包括：P型衬底；位于所述P型衬底之上的介质层；位于所述介质层之上的高k材料层；位于所述高k材料层之上的金属栅层；以及位于所述金属栅层之上的高功函数层，其中，所述高功函数层所用材料的功函数大于所述金属栅层所用材料的功函数。相对于现有技术中仅有金属栅层的半导体结构来说，本发明实施例提供的半导体结构中金属栅电极的功函数有明显增大，相应地，本发明实施例提供的半导体结构的阈值电压相对于现有技术中仅有金属栅层的半导体结构的阈值电压能够明显降低。 |
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