| 专利名称 | 半导体器件制造方法 | 申请号 | CN201210336478.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103681274A | 公开（授权）日 | 2014.03.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 李春龙;李俊峰;闫江;孟令款;贺晓彬;陈广璐;赵超 | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件制造方法 至半导体器件制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种假栅结构的制造方法。本发明在假栅材料层之上形成了ONO结构和顶层非晶硅层，首先以图案化的顶层非晶硅层为掩膜对ONO结构进行刻蚀，能够精确地控制其尺寸和剖面形貌，使ONO结构成为所期望的假栅材料层的掩膜，并且能够控制ONO各层刻蚀速率和厚度；接着，以ONO结构为掩膜刻蚀假栅材料层，同样实现图形的精确转移，使得假栅关键尺寸和剖面形貌得到精确控制，使得后续形成的金属栅极具有良好的粗糙度，保证了器件的性能及其稳定性。 |
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