| 专利名称 | 一种高压超结终端结构 | 申请号 | CN201210345440.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103681780A | 公开（授权）日 | 2014.03.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王波;朱阳军;胡爱斌;卢烁今 | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I | 专利有效期 | 一种高压超结终端结构 至一种高压超结终端结构 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种高压超结终端结构，包括由间隔分布的P+,N-,N+柱构成的超结区和拥有金属场板和SIPOS场板的终端表面结构，所述超结区和终端表面结构之间有一层P-层，所述终端表面结构由下到上依次淀积有高阻SIPOS层、SiO2层、低阻SIPOS层、金属场板和掺氮SIPOS层，所述终端表面结构也可以由下到上依次淀积高阻SIPOS层、SiO2层、金属场板和掺氮SIPOS层，并在末端采用沟槽截止。本发明提供的一种高压超结终端结构能够耐高压，提高终端可靠性，减小漏电流，可以应用于大功率器件（IGBT，VDMOS等）的终端制造。 |
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