| 专利名称 | 半导体存储器阵列及其访问方法 | 申请号 | CN201210320375.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103680596A | 公开（授权）日 | 2014.03.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱正勇;骆志炯;陈率;许杰;赵恒亮 | 主分类号 | G11C11/4063(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C11/4063(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体存储器阵列及其访问方法 至半导体存储器阵列及其访问方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种半导体存储器阵列及其访问方法，该半导体存储器阵列包括按照多个行和多个列排列的存储单元，其中，每一个存储单元包括氧化物异质结晶体管和开关，所述氧化物异质结晶体管包括源电极、漏电极和栅电极，所述开关连接至所述氧化物异质结晶体管的源电极。该半导体存储器阵列利用氧化物异质结晶体管的记忆效应存储数据，因而可以减小芯片占用面积以及减少刷新操作。 |
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