| 专利名称 | 一种浅沟槽隔离结构及其制造方法 | 申请号 | CN201210331626.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103681446A | 公开（授权）日 | 2014.03.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 钟汇才;赵超;梁擎擎 | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I | 专利有效期 | 一种浅沟槽隔离结构及其制造方法 至一种浅沟槽隔离结构及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种浅沟槽隔离结构及其制造方法。该方法包括提供半导体衬底；在所述半导体衬底中形成至少一个沟槽；用具有应力的金属或其亚金属氧化物来填充所述至少一个沟槽；以及将所述金属或其亚金属氧化物转变为金属氧化物电介质。本发明通过使用晶体金属氧化物电介质来代替非晶电介质作为浅沟槽隔离结构中的隔离材料，可以提高器件性能。 |
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