| 专利名称 | 半导体器件及其制造方法 | 申请号 | CN201210333073.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103681382A | 公开（授权）日 | 2014.03.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 钟汇才;梁擎擎;赵超 | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/60(2006.01)I;H01L23/485(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件及其制造方法 至半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。一种示例方法可以包括：在半导体衬底上形成栅极和源/漏区；在所述源/漏区上外延生长牺牲源/漏；在半导体衬底上形成层间电介质层，并对其进行平坦化，以露出牺牲源/漏；以及去除至少一部分牺牲源/漏，并在去除所述至少一部分牺牲源/漏而形成的孔中填充导电材料。 |
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