| 专利名称 | 一种功率VDMOS器件低温远程在线测试系统 | 申请号 | CN201310693430.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103675639A | 公开（授权）日 | 2014.03.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 高博;刘刚;王立新;韩郑生;王春林 | 主分类号 | G01R31/26(2014.01)I | IPC主分类号 | G01R31/26(2014.01)I | 专利有效期 | 一种功率VDMOS器件低温远程在线测试系统 至一种功率VDMOS器件低温远程在线测试系统 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种功率VDMOS器件低温远程在线测试方法，包括以下步骤：连接硬件设备，并进行调试以确保整个实验系统运行良好；控制计算机运行测试程序，向测试开发板输出控制指令；测试开发板接受指令，单片机根据指令选通开关；根据选通的开关，选中被测试器件开发板上相应的器件；测试设备测试被选中的器件，并将测试数据返回给控制计算机；控制计算机接受测试设备的测试数据，并显示、保存。本发明还提供了一种功率VDMOS器件低温远程在线测试系统。本发明克服了通常实验时测试数量少、耗费时间长的缺点，同时避免了测试了器件表面水汽对仪器的影响，并且此测试方法简单、快速。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
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