| 专利名称 | 一种LBO晶体的生长装置以及生长方法 | 申请号 | CN201210343210.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103668455A | 公开（授权）日 | 2014.03.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 胡章贵;岳银超;赵营;涂衡 | 主分类号 | C30B29/22(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/22(2006.01)I;C30B35/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种LBO晶体的生长装置以及生长方法 至一种LBO晶体的生长装置以及生长方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种LBO晶体的生长装置，包括坩埚以及在所述坩埚内的底部上设置的凸部。本发明还涉及了一种LBO晶体的生长方法，采用所述生长装置进行LBO晶体的生长。本发明提供的生长装置结构简单、制造简便、成本较低；本发明提供的生长装置和生长方法可以直接生长出大口径扁平状LBO单晶体，降低了晶体器件切割难度，显著提高了晶体的利用率，减少了加工环节，缩短了晶体生长周期，降低了制造成本。 |
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