| 专利名称 | 一种等离子体辅助磁控溅射沉积方法 | 申请号 | CN201210358823.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103668092A | 公开（授权）日 | 2014.03.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 发明（设计）人 | 李刚;孙龙;金玉奇 | 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/35(2006.01)I | 专利有效期 | 一种等离子体辅助磁控溅射沉积方法 至一种等离子体辅助磁控溅射沉积方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种等离子体辅助磁控溅射沉积镀膜技术。利用磁控溅射制备金属化合物薄膜时，为了克服靶中毒、阳极消失等现象，一般采用中频或脉冲直流反应磁控溅射方法。本发明提出一种新型的等离子体辅助沉积方法，通过在真空室内增加一等离子体放电区，工件架在随公转盘公转的同时高速自转，工件转过此等离子体放电区时，反应未完全的超薄层薄膜进一步与气体离子进行化和反应，从而得到更高化学计量比的化合物薄膜，大大提高了薄膜的沉积速率。与传统的等离子体源辅助沉积技术相比，本发明专利提出的新型等离子体产生技术成本更低，易于放大，可用于大规模工业化生产领域，具有重要的应用前景。 |
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