| 专利名称 | 一种绝缘基片上原位多孔氧化铝膜的制备方法 | 申请号 | CN201210323155.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103668381A | 公开（授权）日 | 2014.03.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 发明（设计）人 | 王彪;许高杰 | 主分类号 | C25D11/04(2006.01)I | IPC主分类号 | C25D11/04(2006.01)I;C25D11/18(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I | 专利有效期 | 一种绝缘基片上原位多孔氧化铝膜的制备方法 至一种绝缘基片上原位多孔氧化铝膜的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种绝缘基片上原位多孔氧化铝膜的制备方法，其特征在于步骤为：1）在绝缘基片上镀上一层厚度为100nm-10μm的光滑铝膜；2）将步骤1)中得到的镀有铝膜的基片，浸在草酸电解液中进行预阳极氧化；3）扫描阳极氧化：将步骤2)中经过预阳极氧化的基片，从电解槽中取出清洗去除吸附的草酸电解液；将电解槽的草酸电解液移出，将洗净的基片放回电解槽，然后用蠕动泵将移出的草酸电解液匀速泵回电解槽，保持电解槽中液面匀速上升，当电解液的液面从基片的底部匀速扫过整个预氧化基片后，基片上预氧化步骤中尚未氧化的残余铝层随着电解液的匀速上升，依次完成阳极氧化过程，从而在绝缘基片上获得均匀高质量的原位多孔阳极氧化铝膜层；4）氧化退火。本发明制备工艺简单、制造成本低，可以在各种形貌的绝缘基片上原位镀制大面积多孔阳极氧化铝膜。 |
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