| 专利名称 | 一种组合熔析精炼提纯工业硅的方法 | 申请号 | CN201310642445.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103663459A | 公开（授权）日 | 2014.03.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院过程工程研究所 | 发明（设计）人 | 王志;胡磊 | 主分类号 | C01B33/037(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B33/037(2006.01)I | 专利有效期 | 一种组合熔析精炼提纯工业硅的方法 至一种组合熔析精炼提纯工业硅的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种组合熔析精炼提纯工业硅的方法，属于一种制备太阳能级高纯硅技术。该方法将工业硅与锡基合金加热至完全共熔，冷却使硅重结晶析出，结晶硅酸洗后与铝基合金加热至完全共熔，冷却使硅析出，结晶硅酸洗后进行定向凝固，铸锭、切块得到高纯多晶硅。该方法操作温度在1400℃以下，能使硼、磷杂质的含量降低到太阳能级硅的要求。 |
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