| 专利名称 | 一种AlGaN基双色日盲紫外探测器及制作方法 | 申请号 | CN201310729555.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103646986A | 公开（授权）日 | 2014.03.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 杨敏;种明;赵德刚;王晓勇;苏艳梅;孙捷;孙秀艳 | 主分类号 | H01L31/105(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/105(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种AlGaN基双色日盲紫外探测器及制作方法 至一种AlGaN基双色日盲紫外探测器及制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种AlGaN基双色日盲紫外探测器及制作方法。该探测器包括：衬底；缓冲层；n-i-p-i-n单元，其包括缓冲层上依次生长的下n型掺杂层、下i型有源层、p型掺杂层、上i型有源层和上n型掺杂层；上台面，其是通过刻蚀上n型掺杂层、上i型有源层、p型掺杂层两侧形成的台面；下台面，其是通过刻蚀上台面下方两侧的p型掺杂层形成；n型欧姆接触金属层，其生长在上n型掺杂层表面，以及下台面一侧的下n型掺杂层上表面；p型欧姆接触金属层，其生长在上台面一侧的p型掺杂层上表面；加厚金属层，其生长在n型欧姆接触金属层和p型欧姆接触金属层上表面，其尺寸大于其下方的欧姆接触金属层的尺寸；二氧化硅层。 |
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